【BSC196N10NS G/规格参数】厂家_BSC196N10NS G中文资料_价格

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型号： BSC196N10NS G
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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BSC196N10NS G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC196N10NS G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供BSC196N10NS G价格参考以及InfineonBSC196N10NS G封装/规格参数等产品信息。你可以下载BSC196N10NS G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSC196N10NS G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 45A
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	8.5 A
Id-连续漏极电流	8.5 A
品牌	Infineon Technologies
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC196N10NS GOptiMOS™
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/BSC196N10NS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a601164800549d071f
产品型号	BSC196N10NS G
PCN其它	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	78 W
Pd-功率耗散	78 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	19.6 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	19.6 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	22 ns
下降时间	5 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 42µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2300pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	34nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	19.6 毫欧 @ 45A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PG-TDSON-8
其它名称	BSC196N10NS GCT
典型关闭延迟时间	18 ns
功率-最大值	78W
包装	剪切带（CT）
商标	Infineon Technologies
商标名	OptiMOS
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-PowerTDFN
封装/箱体	TDSON-8
工厂包装数量	5000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	8.5A （Ta）， 45A （Tc）
系列	BSC196N10
通道模式	Enhancement
配置	Single Quad Drain Triple Source
零件号别名	BSC196N10NSGATMA1 SP000379604